K4S283233E-DH1L

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Hersteller-Nummer K4S283233E-DH1L
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S283233E-DH1L 1.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S283233E-DM1L FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233E-DN1H FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233E-DN1H000 FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233E-DN1L FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233EHN1L FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233ESN1L FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233F-F1H FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233F-F1L FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233F-FC1H FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C
K4S283233F-FC1L FBGA-90 3.0V/3.3V 100 MHZ -25 C~+85 C