K4S28323LF-FN75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S28323LF-FN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S28323LF-FN75000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S28323LF-FN75 5.500 Anfrage senden
K4S28323LF-FN75 1.952 2007+ Anfrage senden
K4S28323LF-FN75 1.000 Anfrage senden
K4S28323LF-FN75000 3.386 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S28323LF-FE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S28323LF-HE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S28323LH-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C