K4S28323LF-HN60
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4S28323LF-HN60 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 4MX32 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 166 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 4M |
| Bit Organization | x32 |
| Density | 128M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 7th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4S28323LF-HN60 | 1.957 | 2007+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4S28323LF-FE60 | FBGA | 3.3 V | 166 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S28323LF-FN60 | FBGA | 3.3 V | 166 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S28323LF-HE60 | FBGA | 3.3 V | 166 MHZ | -25 C~+85 C |