K4S510432B-TC75TE

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Hersteller-Nummer K4S510432B-TC75TE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 128MX4 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x4
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S510432B-TC75TE 10.000 2004 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS5104ABATA75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ABTA-7 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ABTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ABTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ABTA-A75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ABTA075 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ABTA7A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5104ADTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510432B-CL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510432B-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C