K4S510832B-TC75

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Hersteller-Nummer K4S510832B-TC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 64MX8 SD
Andere Bezeichnungen K4S510832B-TC75000
K4S510832B-TC75T
K4S510832BTC-75T00
K4S510832BTC75T000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S510832B-TC75 4.000 Anfrage senden
K4S510832B-TC75 12.500 Anfrage senden
K4S510832B-TC75 450 5 Anfrage senden
K4S510832B-TC75 3.450 Anfrage senden
K4S510832B-TC75 450 2008+ Anfrage senden
K4S510832B-TC75000 5.000 Anfrage senden
K4S510832B-TC75 1.000 2008+ Anfrage senden
K4S510832B-TC75 1.980 2007+ Anfrage senden
K4S510832B-TC75 3.230 200508+ Anfrage senden
K4S510832B-TC75 2.855 2006+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS5108ABTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5108ABTA-75-A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5108ABTA-75-B TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5108ABTA-7512288 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5108ABTA7A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S86400B-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S86400B-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510732B-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510732B-TL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510732C-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C