K4S511632B-CL75

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Hersteller-Nummer K4S511632B-CL75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S511632B-CL75 9.950 Anfrage senden
K4S511632B-CL75 12.000 2008+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S511632BUCTC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632BUL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-KC/KL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-KC/L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-KL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-TL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-UL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S511632CKC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C