K4S511632B-TI75

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S511632B-TI75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S511632B-TI75 5.500 Anfrage senden
K4S511632B-TI75 12.500 Anfrage senden
K4S511632B-TI75 4.800 2004+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S16320B-75ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16320B675ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632C-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632D-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632D-UI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632D-UI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632K-UI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632K-UI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S511632M-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
MT48LC32M162A2P-75IT:C TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C