K4S511632M-TL1H

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S511632M-TL1H
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S511632MTL1H000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 105MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 1st Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S511632M-TL1H 4.000 Anfrage senden
K4S511632M-TL1H 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S511632M-TL1H 12.000 2008+ Anfrage senden
K4S511632M-TL1H 2.068 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S511632B-TC1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632B-TC7500/1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-KC1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-KL1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-TC1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-TL1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632C-UC1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632D-KC1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632D-UC1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C
K4S511632D-UL1H TSOP2(54) 3.3 V 105MHZ 0 C~+85 C