K4S51323PF-EF75

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4S51323PF-EF75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 16MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S51323PF-EF750
K4S51323PF-EF75000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x32
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S51323PF-EF75 6.500 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 3.000 2005+ Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 257 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 3.000 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 500 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 1.665 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 1.000 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 2.000 2005+ Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 2.000 Anfrage senden
K4S51323PF-EF75 3.081 2006 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42VM32160D-75B FBGA 1.8 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42VM32160D-75BL FBGA 1.8 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42VM32160E-75B FBGA 1.8 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42VM32160E-75BL FBGA 1.8 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S51323PF-EF75K4S513 FBGA 1.8 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S51323PF-MF75 FBGA 1.8 V 133 MHZ 0 C~+85 C