K4S560832B-TCL75

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Hersteller-Nummer K4S560832B-TCL75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX8 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S560832B-TCL75 1.311 Anfrage senden
K4S560832B-TCL75 1.000 2004+ Anfrage senden
K4S560832B-TCL75 10.000 2006+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S83200D-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200D-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC/L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1L00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1LT TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1LT00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC7.5 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC750 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C