K4S560832D-TCB0

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Hersteller-Nummer K4S560832D-TCB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX8 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S560832D-TCB0 50.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S83200B-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200B-6TL-TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200D-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200D-6TL-TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200G-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200G-6TL-TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200J-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200J-6TL-TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200L-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S83200L-6TL-TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C