K4S561632BTI75

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Hersteller-Nummer K4S561632BTI75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S561632BTI75T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632BTI75 6.500 Anfrage senden
K4S561632BTI75 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S561632BTI75 480 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S561632FTP75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UI75 /TD TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UI75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UP75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UP75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UP750CV TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632H-UP75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C