K4S561632E-TC75

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Hersteller-Nummer K4S561632E-TC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S561632E-TC75-T/R
K4S561632E-TC7500
K4S561632E-TC75000
K4S561632E-TC750000
K4S561632E-TC7500T0
K4S561632E-TC75T
K4S561632E-TC75T0
K4S561632E-TC75T00
K4S561632ETC-75T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632E-TC75 1.053 Anfrage senden
K4S561632E-TC75 5.500 Anfrage senden
K4S561632E-TC75T00 1.950 Anfrage senden
K4S561632E-TC75 925 03+ Anfrage senden
K4S561632E-TC75 140 DC04+ Anfrage senden
K4S561632E-TC75 20.000 03+ Anfrage senden
K4S561632E-TC75 88 DC06 Anfrage senden
K4S561632E-TC75 87 DC06 Anfrage senden
K4S561632E-TC75 88 6 Anfrage senden
K4S561632E-TC75 140 04+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S16160C-75TL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160C-75TL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160D-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160D-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S561632A-TC-L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S561632A-TC/L758.50 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S561632A-TC1 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S561632A-TC175 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S561632A-TC1L00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S561632A-TC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C