K4S561632E-TL60

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Hersteller-Nummer K4S561632E-TL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S561632E-TL60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632E-TL60 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 2.257 2007+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 10.000 Anfrage senden
K4S561632E-TL60 12.000 Anfrage senden
K4S561632E-TL60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 5.560 03+ Anfrage senden
K4S561632E-TL60 5.000 2004+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC42S16160-6T TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IC42S16160-6TG TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IC42S161600H-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IC42S16160C-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IC42S16160H-6TL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160 TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160A TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160A-6T TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160B-6T TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16160B-6T-TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+85 C