K4S561632E-TP75

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Hersteller-Nummer K4S561632E-TP75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632E-TP75 800 06+ Anfrage senden
K4S561632E-TP75 500 2004 Anfrage senden
K4S561632E-TP75 4.459 2005 Anfrage senden
K4S561632E-TP75 3.840 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S561632A-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632B-TI1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632B-TP75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632BTI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632BTI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632C-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632C-TI7500 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632C-TI75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632C-TI75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S561632C-TI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C