K4S56163PF-BG75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S56163PF-BG75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S56163PF-BG75000
K4S56163PF-BG75T
K4S56163PFBG750JR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S56163PF-BG75 100 Anfrage senden
K4S56163PFBG750JR 6.500 Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 116 522 Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 100 05+ Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 328 0540+ Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 300 Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 2.346 05+ Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 3.938 0516+ Anfrage senden
K4S56163PF-BG75 60 DC04 Anfrage senden
K4S56163PF-BG75000 3.000 05+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M561633HBG-75 FBGA 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633K-BN75 FBGA 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633-CBN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633F-FN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633F-ZE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633F-ZG75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633F-ZN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633F-ZN75T00 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561633G-BN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S56163LCBG75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C