K4S563233F-FE1L

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Hersteller-Nummer K4S563233F-FE1L
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+70 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S563233F-FE1L 2.541 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563233F-FC1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-FF1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-FG1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-FL1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-FN1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-HC1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-HE1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-HF1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-HG1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S563233F-HL1L FBGA 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C