K4S563233F-HL75

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Hersteller-Nummer K4S563233F-HL75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S563233FHL750

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S563233F-HL75 2.541 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563233F-FC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-FF75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-FL75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-HC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-HCLF75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S563233F-HF75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-FC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-FL75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-HC75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S56323LF-HL75 FBGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C