K4S56323LF-HE1H

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Hersteller-Nummer K4S56323LF-HE1H
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 105MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S56323LF-HE1H 2.541 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563233F-FE1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FG1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FN1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HE1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HG1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HN1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S56323LF-FE1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C
K4S56323LF-FN1H FBGA 3.3 V 105MHZ -25 C~+85 C