K4S641632C-TC-L75

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Hersteller-Nummer K4S641632C-TC-L75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632C-TC-L75 10.000 2006+ Anfrage senden
K4S641632C-TC-L75 6 2005+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632C-TC1LT00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632CTC1LO TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-GC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-GL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-GL7500 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-GL75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-TC/L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C