K4S641632CTI80

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S641632CTI80
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632C-TI80T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 125MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632CTI80 1.600 00 Anfrage senden
K4S641632CTI80 12.845 00 Anfrage senden
K4S641632CTI80 1.443 Anfrage senden
K4S641632CTI80 4.000 Anfrage senden
K4S641632CTI80 5.402 Anfrage senden
K4S641632C-TI80T00 7.142 Anfrage senden
K4S641632CTI80 1.440 00+ Anfrage senden
K4S641632CTI80 1.440 00++ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-TC80T00 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C OR D-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-T180 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC/L80 TSOP2(54) 3.3 V 125 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC8 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC80000 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC80T0 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C