K4S641632D-TI1L000

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Hersteller-Nummer K4S641632D-TI1L000
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V651620BLTC-10SI TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
HY57V651620BLTC10PI TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
HY57V651620BTC-10I TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
HY57V651620BTC-10IT TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
HY57V651620BTC-10SI TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
IC42S16400-10TI TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400-10TI TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400-10TIX TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
IS45S16400A-10TLA1 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632D-TP1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C