K4S641632D-TL75

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Hersteller-Nummer K4S641632D-TL75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632D-TL75000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632D-TL75 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S641632D-TL75 7.000 2009+ Anfrage senden
K4S641632D-TL75 9.500 2008+ Anfrage senden
K4S641632D-TL75 2.547 2007+ Anfrage senden
K4S641632D-TL75 4.534 Anfrage senden
K4S641632D-TL75 7.000 Anfrage senden
K4S641632D-TL75 12.000 Anfrage senden
K4S641632D-TL75 10.000 Anfrage senden
K4S641632D-TL75 16.303 2003+ Anfrage senden
K4S641632D-TL75 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LC75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400A-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632000-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320HUC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416323N-LC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC-L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC1LO,TSOPII TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C