K4S641632D-TL80

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Hersteller-Nummer K4S641632D-TL80
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 125 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632D-TL80 6.500 Anfrage senden
K4S641632D-TL80 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S641632D-TL80 7.000 2009+ Anfrage senden
K4S641632D-TL80 9.500 2008+ Anfrage senden
K4S641632D-TL80 2.547 2007+ Anfrage senden
K4S641632D-TL80 4.523 Anfrage senden
K4S641632D-TL80 7.000 Anfrage senden
K4S641632D-TL80 8.000 Anfrage senden
K4S641632D-TL80 12.000 Anfrage senden
K4S641632D-TL80 10.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-TC80T00 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C OR D-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-T180 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC/L80 TSOP2(54) 3.3 V 125 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC8 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC80000 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C
K4S641632C-TC80T0 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ 0 C~+85 C