K4S641632D-TP80

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Hersteller-Nummer K4S641632D-TP80
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 125MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632D-TP80 2.000 00+ Anfrage senden
K4S641632D-TP80 15.000 Anfrage senden
K4S641632D-TP80 2.000 Anfrage senden
K4S641632D-TP80 2.000 00 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632D-TI80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ -40 C~+85 C
K4S641632D-TI80 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ -40 C~+85 C
K4S641632D-TI8000 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ -40 C~+85 C
K4S641632D-TI80000 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ -40 C~+85 C
K4S641632D-TI80T00 TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ -40 C~+85 C
K4S641632D-TI80TOO TSOP2(54) 3.3 V 125MHZ -40 C~+85 C