K4S641632E-TC5558566

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Hersteller-Nummer K4S641632E-TC5558566
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 183 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632E-TC5558566 100,000+ 01+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632D-TC55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-TC55 SAMSU TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-TL55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-UC55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D-UL55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632D/F-TC/L60 OR 55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632E-QC55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632E-TC55 TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632E-TC55 SAMSU TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632E-TC55SAM TSOP2(54) 3.3 V 183 MHZ 0 C~+85 C