K4S641632E-TC75

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Hersteller-Nummer K4S641632E-TC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632E-TC750
K4S641632E-TC7500
K4S641632E-TC75000
K4S641632E-TC75T00
K4S641632ETC-75 #
K4S641632ETC-75T
K4S641632ETC75

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632ETC75 18.000 Anfrage senden
K4S641632ETC75 6.500 Anfrage senden
K4S641632ETC75 9.600 14+ Anfrage senden
K4S641632ETC75 1 Anfrage senden
K4S641632ETC75 1.000 Anfrage senden
K4S641632ETC75 195 DC02 Anfrage senden
K4S641632ETC75 94 DC02 Anfrage senden
K4S641632ETC75 36.000 10+ Anfrage senden
K4S641632ETC75 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S641632ETC75 1.200 2002+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LC75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
HY57V641620HGT-P/-H TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400A-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-TC75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC14 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632000-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C