K4S641632E-TI60

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Hersteller-Nummer K4S641632E-TI60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632E-TI60 1.922 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C4M16S-6TIN TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
AS4C4M16S-6TIN ALL TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
AS4C4M16S-6TINTR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
AS4C4M16SA-6TIN TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
AS4C4M16SA-6TIN ROHS TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
AS4C4M16SA-6TINTR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EM638165TS-6IG TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EM638165TS-6IG (REEL) TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EM638165TSD-6IG TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S16400-6TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C