K4S641632H-TC1H

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Hersteller-Nummer K4S641632H-TC1H
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632H-TC1H000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632H-TC1H 6.500 Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 10.000 Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 480 0401 Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 19.000 Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 17.280 03+ Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 17.280 2003+ Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 22.560 Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 22.560 2003+ Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 18.000 Anfrage senden
K4S641632H-TC1H 18.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC42S16400-10T TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-10T TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-10TT TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-10TX TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-7/5/10T TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400A-10TL TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K 4S641632DTC1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-IC1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C