K4S641632H-TI60

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Hersteller-Nummer K4S641632H-TI60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632H-TI60 6.500 Anfrage senden
K4S641632H-TI60 299 0616+ Anfrage senden
K4S641632H-TI60 1.000 Anfrage senden
K4S641632H-TI60 19.000 Anfrage senden
K4S641632H-TI60 10.000 Anfrage senden
K4S641632H-TI60 616 Anfrage senden
K4S641632H-TI60 5.217 Anfrage senden
K4S641632H-TI60 659 2006+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC42S16400-6TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S16400-6TIG TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S16400A-6TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S16400B6TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S16400F-6TLISSI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400-6TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400-6TLI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400A-6TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400A-6TLI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16400B-60TI TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C