K4S641632HVC75

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Hersteller-Nummer K4S641632HVC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 9th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LC75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
HY57V641620HGT-P/-H TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16400A-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-TC75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC14 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S6416320-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S641632000-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C