K4S643232E-TP70

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Hersteller-Nummer K4S643232E-TP70
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 2MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(86)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 143 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x32
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S643232E-TP70 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S643232E-TP70 2.548 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V643220CLT7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V643220CT-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V643220DLPT-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V643220DLTP-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V643220DSTP-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V643220DTP-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V643220TC-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V653220BLTC-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V653220BLTC-7I-A TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C
HY57V653220BTC-7I TSOP2(86) 3.3 V 143 MHZ -40 C~+85 C