K4S64323LHFN75JR
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4S64323LHFN75JR |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 2MX32 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 2M |
| Bit Organization | x32 |
| Density | 64M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 9th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4S64323LHFN75JR | 5.393 | 2006+ | Anfrage senden |