K4T1G084QE-HCE7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T1G084QE-HCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G084QE-HCE700
K4T1G084QE-HCE7000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QE-HCE7 152 1034+ Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 10.000 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 291 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 251 1046+ Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 5.660 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 12.500 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 600 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 100 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCE7 7.890 2012+ Anfrage senden
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FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5PS1G83EFR-S5C/S6 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83EFR-S6C-C 27K FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83JFR-S5CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83JFR-S6CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5C 1.35 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5CSD FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S6CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS1G831AFPE3 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS1G831CFP-E3 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C