K4T1G084QE-HCF7

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Hersteller-Nummer K4T1G084QE-HCF7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G084QE-HCF70
K4T1G084QE-HCF7000
K4T1G084QE-HCF70GG
K4T1G084QE-HCF70GG/0JP
K4T1G084QE-HCF7T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QE-HCF7 1.279 1031+ Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 111 10+ Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 4.000 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 40 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 1.260 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 12.800 1046+ Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 40 N/A(8X2+7X Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 5.660 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF7 0 Anfrage senden
K4T1G084QE-HCF70 7.680 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT47H128M8CF-25:H FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5PS1G83EFR-S5C/S6 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83EFR-S6C-C 27K FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83JFR-S5CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83JFR-S6CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5C 1.35 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5CSD FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S6CR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS1G831AFPE3 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS1G831CFP-E3 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C