K4T1G084QEHIE7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T1G084QEHIE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QEHIE7 4.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5PS1G83JFR-S5I 13K FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
H5PS1G83JFR-S6IR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
H5PS1G83KFR-S5IR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280A-25DBLI FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280A-25EBLI FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-25DBI FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-25DBLI FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-25EBLI FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280C-25DBLI FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280A-25DBLA1 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C