K4T1G084QJ-BCE7

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4T1G084QJ-BCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G084QJ-BCE70
K4T1G084QJ-BCE7000
K4T1G084QJ-BCE70CV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QJ-BCE7 51.200 22+ Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 10.000 22+ Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 20.480 Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 0 Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 10.240 DC22+ Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 5.000 19+ Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 10.000 Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 2.560 Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7 51.200 21+ Anfrage senden
K4T1G084QJ-BCE7000 100,000+ 22+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T1G084QJ-BCE70AC FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C128M8D2-25BCN FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C128M8D2-25BCNTR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C128M8D2A-25BCN FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C128M8D2A-25BCNTR FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1108ACBG-8E-E FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1108ACBG/ACSE-8E-E FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1108ACSE-8E-E FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1108ACSE/ACBG-8E-E FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1108AEBG-8E-E FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1108AEBG-8E-F FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C