K4T1G163QE-BCE6
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T1G163QE-BCE6 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 64MX16 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 667 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 6th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4T1G163QE-BCE6 | 12.800 | Anfrage senden | |
| K4T1G163QE-BCE6 | 12.800 | 11 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS43DR16640D-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T1G163QCZCE6 | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T1G163QFBCE6 | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T1GF164QE-HCE6000 | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |