K4T1G164QG-BCE7

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Hersteller-Nummer K4T1G164QG-BCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QG-BCE7000
K4T1G164QG-BCE70000
K4T1G164QG-BCE70JP
K4T1G164QG-BCE7T
K4T1G164QG-BCE7T00
K4T1G164QG-BCE7TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

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Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4T1G164QG-BCE7000 29 15 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QG-BCE7 3.840 Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 27.000 Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7000 6.500 Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 5.500 Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 1.264 2015+ Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 427 1622+ Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 0 Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 100,000+ Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 26 622 Anfrage senden
K4T1G164QG-BCE7 2.020 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HYB18T1G160C2FL-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C4F-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160CFL-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160AF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160BF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160BF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-25F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160CF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160CF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C