Bilder dienen nur der Illustration
Hersteller-Nummer | K4T1G164QG-HCF8 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
IC-Code | 64MX16 DDR2 |
Gehäuse | FBGA-84 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 1066 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 8th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT47H64M16HR187EG | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M16NF-187E ES:M | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M16NF-187E:M | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M16NF-187E:M TR | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
W971GG6JB-18 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
W971GG6JB-18 T R | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
W971GG6KB-18 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
W971GG6SB-18 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |