K4T1G164QJ-BCE7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T1G164QJ-BCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QJ-BCE7000
K4T1G164QJ-BCE70CV
K4T1G164QJ-BCE7T
K4T1G164QJ-BCE7T00
K4T1G164QJ-BCE7TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QJ-BCE7 50.000 2137+ Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7 20.480 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7000 20.480 22+ Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7000 10.240 DC21+22+ Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7 0 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7TCV 8.155 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7000 10.240 21+/22+ Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7 10.000 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7 5.120 Anfrage senden
K4T1G164QJ-BCE7 10.240 21+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS46DR16640B-3DBLA2 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+105 C
K4T1G164QJ-BCE70AC FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDE1116ACBG-8E-F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116ACSE-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E- FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E-F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E-F 1G FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E-F-T FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E-TR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AEBG-8E:F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE1116AESE-8E-F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C