K4T1G164QQ-HCF7

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4T1G164QQ-HCF7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen :K4T1G164QQ-HCF7
K4T1G164QQ-HCF700
K4T1G164QQ-HCF7000
K4T1G164QQ-HCF7T
K4T1G164QQ-HCF7T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QQ-HCF7 4.000 Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 12.500 Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 12.800 2009+ Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 0 Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 10.000 Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 4.000 2010+ Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 2.160 11+ Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 19.000 Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 520 2009 Anfrage senden
K4T1G164QQ-HCF7 1.120 2009 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HYB18T1G160C4F-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160CFL-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160AF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160BF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160BF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-25F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160CF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160CF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160D2F-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C