K4T510830I-HCE6

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IC Picture

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Hersteller-Nummer K4T510830I-HCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 10th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T510830I-HCE6 879 201140+ Anfrage senden
K4T510830I-HCE6 879 201140 Anfrage senden
K4T510830I-HCE6 1.140 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT47H64M8CB-37B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37E FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37E ES:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37E L:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37E:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37E:D FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37V ES:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-37V:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-3: FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H64M8CB-3:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C