K4T511630G-HCE7

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4T511630G-HCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T511630G-HCE7 4.000 Anfrage senden
K4T511630G-HCE7 640 Anfrage senden
K4T511630G-HCE7 500 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T51163QE-ZCE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZCE7/ZCF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZCE7000 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZCF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZCF7/ZCE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZCF7000 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZIF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZLE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZLF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T51163QE-ZPF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C