K4T511630G-HCE7

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Hersteller-Nummer K4T511630G-HCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T511630G-HCE7 4.000 Anfrage senden
K4T511630G-HCE7 640 Anfrage senden
K4T511630G-HCE7 500 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5PS5162FFR-S5C/-R FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162FFR-S5C/09 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162FFR-S6C 16000EA FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162FFR-S6C5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162FFR-S6CR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162FFR-S6CROHS FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162GFR-S5C512MDDR2 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162GFR-S5CR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162KFR-S5CR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162KFR-S5CSK FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C