K4T51163QG-HCD5

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4T51163QG-HCD5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QG-HCD5000
K4T51163QG-HCD5T
K4T51163QG-HCD5T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 533 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QG-HCD5 2.000 2010+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCD5 6.000 Anfrage senden
K4T51163QG-HCD5 2.000 10+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCD5 1.238 07+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HYB18T512160B2FL-3.7 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160BF-3.7 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160TC-3.7 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160TCL-3.7 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160TF-3.7 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512161AF-37 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512161BF-37 TFBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC512160AF3.7 FBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC512160B2F-3.7 FBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC512160BF-3.7 FBGA-84 1.8 V 533 MBPS 0 C~+85 C