K4T51163QG-HCE/F7

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Hersteller-Nummer K4T51163QG-HCE/F7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QG-HCE/F7 10.000 Anfrage senden
K4T51163QG-HCE/F7 30.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5PS121621CFPS5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CLFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CLFP-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CLFPS5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621F-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621FP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621LF-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621LFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621LFP-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621LFP-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C