K4T51163QG-HCE6S

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4T51163QG-HCE6S
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QG-HCE6S 0 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43DR16320D-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16320E-3DB FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16320E-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS46DR16320C-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS46DR16320D-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T51161QE-ZCE6000DDR2 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T511630C-ZCE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T511630E-ZCE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T511630G-HCE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T511630J-BCE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C