K4T51163QI-HCE7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QI-HCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QI-HCE700
K4T51163QI-HCE7000
K4T51163QI-HCE70D
K4T51163QI-HCE70DT
K4T51163QI-HCE7T
K4T51163QI-HCE7T00
K4T51163QIHCE70

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 10th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QI-HCE7 149 10+11+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 336 1037+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 1.849 1037+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 386 Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 2.363 1137+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 963 12+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 904 1028+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 670 1043+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 3.652 Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7T 1.405 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
:K4T51163QG-HCF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWPA-25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWPQ-25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQC25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQD-25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQD-25H: FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQE/CWQG-25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQH-25 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQH-25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQL-25H FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C