K4T51163QJ-BCE6TCV DC:1 YR
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T51163QJ-BCE6TCV DC:1 YR |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 32MX16 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-84 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 667 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 11th Generation |
| Power | Normal Power |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT47H32M16NR-25E :H TR | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT47H32M16U67A3WC1 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| W9751G61B-3 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| W9751G6IB-3 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| W9751G6JB-3 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| W9751G6KB-3 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |